台积电公布芯片路线图 与三星正面交锋

导读 台积电公布了其下一代移动处理器的生产路线图。这家公司将于今年下半年开始制造 3nm 芯片，并计划在 2025 年转向 2nm 工艺。它还计划...

台积电公布了其下一代移动处理器的生产路线图。这家公司将于今年下半年开始制造 3nm 芯片，并计划在 2025 年转向 2nm 工艺。它还计划在未来几年内引入先进的 3nm 制造工艺。这家半导体巨头在周四开幕的 2022 年台积电技术研讨会上分享了其芯片路线图 ( via )。gqs快乐收录网

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根据新报告，台积电将于 2023 年初开始向其客户交付第一代 3nm 芯片(N3)。它将在明年中开始大规模生产先进的 3nm 解决方案(N3E)。据报道，N3E 的晶体管数量将是其最先进的 5nm 解决方案的 1.6 倍。这允许在相同功率下提高 18% 的性能。如果性能保持不变，功耗将降低 34%。gqs快乐收录网

台积电将在 2023 年至 2025 年之间采用三种更先进的 3nm 制造工艺——N3P、N3S 和 N3X，然后再转向 2nm 技术。随着每一项进步，该公司将提高其解决方案的性能、晶体管密度和功率效率。gqs快乐收录网

三星今年也将开始生产 3nm 芯片gqs快乐收录网

从表面上看，台积电和三星的芯片生产路线图完全一致。这家韩国公司也将于今年开始量产其 3nm 解决方案。低良率可能稍微推迟了计划，但据报道，它有望在 2023 年初向客户交付下一代芯片。gqs快乐收录网

此外，三星还将在未来几年推出先进的 3nm 工艺节点，并将在 2025 年转向2nm 技术。但这两家芯片制造巨头的 3nm 方法有一个主要区别。虽然台积电为其 3nm 芯片坚持当前的 FinFET(鳍式场效应晶体管)架构，但三星正在使用更先进的 GAAFET(环栅场效应晶体管)架构。前者将在 2025 年在其 2nm 解决方案中采用 GAAFET。gqs快乐收录网

据说 GAAFET 比 FinFET 带来了显着的性能和功率改进。例如，据报道，三星的 3nm 芯片在相同性能的情况下功耗将降低 50%，尽管其封装的晶体管数量仅是当前解决方案的 1.35 倍。在恒定功耗下，您将获得高达 35% 的性能提升。这些收益肯定比台积电的 N3E 芯片带来的收益要好。gqs快乐收录网

基于此，三星至少在未来几年内可能会在代工制造领域占据上风。该公司在这个市场上一直是台积电的第二把交椅。因此，它可能希望充分利用这个机会。但这家韩国公司在芯片制造方面的困境并非闻所未闻，因此它的任务在这里被取消了。gqs快乐收录网

当然，台积电也不会闲着，让三星抢占先机。该公司的“FinFlex”技术被吹捧为 3nm 解决方案的“秘密武器”，据报道将允许其客户定制芯片以获得更高的性能、更高的密度和更低的功耗。gqs快乐收录网

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