EPC 宣布推出 100V 3.9mΩ 抗辐射 GaN HEMT

导读 它名为 EPC7018，采用 13.9mm 2 芯片级封装(图中的标志 )，可处理高达 345A 的脉冲。总剂量辐射等级大于 1Mrad，LET 的 SEE 抗...

它名为 EPC7018，采用 13.9mm 2 芯片级封装(图中的“标志” )，可处理高达 345A 的脉冲。hCo快乐收录网

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总剂量辐射等级大于 1Mrad，LET 的 SEE 抗扰度为 85MeV/(mg/cm 2 )。hCo快乐收录网

“EPC7018 为设计人员提供了一种高功率、低导通电阻的器件，能够在太空中以比以往更高的频率、更高的效率和更大的功率密度运行新一代电源转换和电机驱动，”EPC 首席执行官兼创始人 Alex Lidow 说。hCo快乐收录网

预计将应用于直流-直流转换器、电机驱动、激光雷达和离子推进器。hCo快乐收录网

样品现已上市，该部件计划于今年 12 月获得批量出货资格。hCo快乐收录网

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EPC 宣布推出 100V 3.9mΩ 抗辐射 GaN HEMT特别声明

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